通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。 　　对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。

在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。

当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，

称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，

从几十伏到几千伏。

二极管的反向击穿

MCD72-16IO1B

MCD94-20IO1B

MCD94-22IO1B

MCD95-14IO1B

MCD95-16IO1B

MCD95-12IO1B

MCD95-18IO1B

MCD132-08IO1

MCD132-12IO1

MCD132-14IO1

MCD132-16IO1 .

MCD132-18IO1

MCD161-20IO1

MCD161-22IO1

MCD162-08io1

MCD162-12io1

MCD162-14io1

MCD162-16io1

MCD162-18io1

MCD200-12io1

MCD200-14io1

MCD200-16io1

MCD200-18io1

MCD224-20io1

MCD224-22io1

MCD220-08io1

MCD220-12io1

MCD220-14io1

MCD220-16io1

MCD220-18io1

MCD225-12io1

MCD225-14io1

MCD225-16io1

MCD225-18io1

MCD250-08io1

MCD250-12io1

MCD250-14io1

MCD250-16io1



型号 (2 单元 1200/1700V) IGBT 技术指标 型号 (2 单元 1200/1700V) IGBT 技术指标



SKM 50GB 123D 50A/1200V/2U SKM 145GAL 123D(124D) 145A/1200V/2U



SKM 75GB 123D(124D) 75A/1200V/2U SKM 150GAL 123D 150A/1200V/2U



SKM 100GB123D(124D) 100A/1200V/2U S